主要用途：

本设备主要用于研磨Si、Ge、GaAs、InP、SiC、GaN、ZnO、LiTaO3、石英玻璃、金刚石等半导体材料

设备特点：

1、该系列设备是我司自主设计制造的全自动晶圆研磨机,技术成熟,性能稳定,可完全替代进口品牌。

2、先进的处理系统和设计特点有助于实现高产量高良率。

3、标配接觸式在線测厚。也可选配非接觸式NCG(非接触)。

4、采用LCD触摸屏图形用户界面，使操作和维护更加直观和简单。

5、突破核心技术封锁,自研大功率静压气浮主轴,承载平台。

6、采用大理石基座,大理石气浮转台,极大提高了设备的整体稳定性。

7、可研磨3至12英寸的各种晶圆。

主要技术参数：

型号                     200A                                                           300A

晶圆尺寸              4",6",8"                                                        8",12"

研磨方式             In-feed grinding with wafer Rotation                In-feed grinding with wafer Rotation

研磨轮                 钻石轮                                                         钻石轮

额定功率              7.5kw                                                           11KW

额定转速              1000-7000                                                    1000-4000

TTV                      ≤2um                                                          ≤3um

表面粗糙度           可根据客户要求调整                                      可根据客户要求调整

厚度测量精度        1um                                                             1um

外形尺寸(WxDxH)  2500x4500x1800mm                                     2500x4500x1800mm

总重量                   大约4000kg                                                 大约5000kg